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<p>저항성 스위칭 층 및 전류 스티어링 엘리먼트를 각각 포함하는 비휘발성 메모리 어셈블리들이 제공된다. 스티어링 엘리먼트는 스위칭 층과 직렬로 접속된 트랜지스터일 수도 있다. 스티어링 엘리먼트에 의해 제공된 저항 제어는 낮은 스위칭 전압들 및 전류들을 요구하는 스위칭 층들을 사용하는 것을 허용한다. 그러한 스위칭 층들을 포함하는 메모리 어셈블리들은 예컨대, 훨씬 높은 스위칭 전압들을 요구하는 플래시 메모리보다, 다른 낮은 전압 컨포넌트들, 예컨대 로직 및 디지털 신호 프로세싱 컴포넌트들을 갖는 집적 회로 칩들로 내장하기에 더 용이하다. 일부 실시형태들에서, 제공되는 비휘발성 메모리 어셈블리들은 약 3.0 V 미만의 스위칭 전압들 및 50 마이크로암페어 미만의 대응하는 전류들에서 동작한다. 메모리 엘리먼트는 티타늄 질화물 전극과 도핑된 폴리실리콘 전극 간에 배치된 금속 부유 하프늄 산화물을 포함할 수도 있다. 하나의 전극은 트랜지스터의 드레인 또는 소스에 접속될 수도 있고, 다른 전극은 신호 라인에 접속된다.</p> |
