一种全隔离背照式图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开一种全隔离背照式图像传感器结构，由上至下依次包括：承载基片、后道膜层、外延后的器件硅基、埋入氧化层、滤光片和微透镜；所有器件制造在埋入氧化层上的器件硅基上；该图像传感器感光单元的隔离采用沟槽隔离，并且填充绝缘介质的沟槽与埋入氧化层直接连接，将感光单元有源区彼此完全隔离；所述器件硅基上形成有光电二极管，光电二级管的接地通过正表面的浓掺杂区引出。此外，本发明还公开了该全隔离背照式图像传感器的制造方法。本发明解决了现有工艺易发生的混色(cross talk)问题；埋入氧化层简化了BSI（背照式CMOS）背面工艺的复杂度，对器件进行了无损保护，避免了背面薄化均匀性不好，量子效率不一致等问题。

主权项

一种全隔离背照式图像传感器结构，其特征在于：由上至下依次包括：承载基片、后道膜层、外延后的器件硅基、埋入氧化层、滤光片和微透镜；所有器件制造在埋入氧化层上的器件硅基上；该图像传感器感光单元的隔离采用沟槽隔离，并且填充绝缘介质的沟槽与埋入氧化层直接连接，将感光单元有源区彼此完全隔离；所述器件硅基上形成有光电二极管，光电二级管的接地通过正表面的浓掺杂区引出。