LDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件，在由N型外延层组成的漂移区中增加了高剂量的N型杂质注入形成的N型注入层，在漏区和P阱之间的场氧层底部的N型注入层表面形成有从源端一侧到漏端一侧方向上结深和掺杂量逐渐降低的P型辅助耗尽层。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能够降低器件的导通电阻、增加器件的导通电流，同时能降低漂移区的表面电场强度、增加器件的击穿电压，能集成在BCD工艺中、不需要增加额外工艺成本。

主权项

一种LDMOS器件，其特征在于，包括：N型外延层，形成于P型硅衬底表面上；P阱，形成于所述N型外延层中；N阱，形成于所述N型外延层中；所述N阱和所述P阱相隔一段距离，在所述N阱和所述P阱之间设置有一个场氧层，所述场氧层的第一侧和所述P阱相隔一段距离，所述场氧层的第二侧延伸到所述N阱上方；N型注入层，形成于所述N型外延层中，所述N型注入层第一侧和所述P阱的侧面接触，所述N型注入层的第二侧向所述N阱方向延伸并将所述N阱包围；P型辅助耗尽层，形成于所述N型注入层表面、且位于所述场氧层的底部，所述P型辅助耗尽层的宽度小于所述场氧层的底部宽度；所述P型辅助耗尽层的第一侧靠近所述P阱、所述P型辅助耗尽层的第二侧靠近所述N阱，从所述P型辅助耗尽层的第一侧到第二侧方向上，所述P型辅助耗尽层的结深逐渐减少、掺杂量逐渐减少；栅极结构，由形成于所述N型外延层表面的栅介质层和多晶硅栅组成，所述栅极结构覆盖部分所述P阱表面并横向延伸到所述N型注入层表面以及所述场氧层表面上，被所述栅极结构所覆盖的所述P阱表面用于形成沟道；源区，由形成于所述P阱中的N+区组成，所述源区和所述栅极结构的第一侧自对准：漏区，由形成于所述N阱中的N+区组成，所述漏区和所述场氧层自对准；P型衬底引出区，由形成于所述P阱中的P+区组成，用于引出所述P阱；由位于所述N阱和所述P阱之间的所述N型注入层、所述P型辅助耗尽层和所述N型外延层组成LDMOS器件的漂移区；所述N型注入层的掺杂浓度越高，所述LDMOS器件的导通电阻越低；所述P型辅助耗尽层用于对所述N型注入层进行耗尽，所述P型辅助耗尽层的结深和掺杂量在从第一侧到第二侧方向上逐渐减少的设置使得所述N型注入层耗尽后表面电场平坦。