发明名称 |
用于外延生长的基材、其制造方法、及用于超导线材的基材 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种用于外延生长的铜基材及其制造方法,该铜基材具有较高的双轴晶体取向。该用于外延生长的基材包括双轴晶体取向的铜层,该基材的特征在于,基于铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ为5°或更小,并且基于极图的峰的裙裾宽度Δβ为15°或更小。这种用于外延生长的基材通过第一步骤和第二步骤制造,其中第一步骤为执行铜层的热处理,使得Δφ为6°或更小并且裙裾宽度Δβ为25°或更小,第二步骤为在该第一步骤之后,以比第一步骤的热处理的温度高的温度执行铜层的热处理,使得Δφ为5°或更小并且裙裾宽度Δβ为15°或更小。 |
申请公布号 |
CN104662212A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201380050056.1 |
申请日期 |
2013.08.23 |
申请人 |
东洋钢钣株式会社;住友电气工业株式会社 |
发明人 |
神代贵史;冈山浩直;黑川哲平;南部光司 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
常雨轩;郑霞 |
主权项 |
一种用于外延生长的基材,包含双轴晶体取向的铜层,其中基于所述铜层的极图的峰的半峰全宽Δφ在5°以内,并且基于所述极图的所述峰的峰尾宽度Δβ在15°以内。 |
地址 |
日本东京都 |