| 发明名称 | 电容指纹传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电容指纹传感器。该电容指纹传感器可以首先感测在电容上的差，并且放大与所感测的差值对应的信号，然后其次在像素中再一次放大该放大的信号，以改善感测灵敏度。因此，可以因为感测灵敏度的改善而在厚度上增大传感器的上保护膜，以由此具有静电放电(ESD)和物理冲击的强的耐受性。该电容指纹传感器包括：指纹感测电极Cfp，用于感测人的指纹；第一晶体管T1，其中，流过其中的电流量根据指纹感测电极的输出电压而改变；第二晶体管T2，其中，流过其中的电流量根据流过第一晶体管T1的电流的差而改变；以及第三晶体管T3，通过其复位第一晶体管T1的栅极电极，并且经由脉冲信号电容耦合第一晶体管T1的栅极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104662430A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201280074852.4 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 硅显示技术有限公司 | 发明人 | 姜汶孝;许智镐 |
| 分类号 | G01R27/26(2006.01)I;G06K9/46(2006.01)I;G06K9/20(2006.01)I | 主分类号 | G01R27/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 许向彤;陈英俊 |
| 主权项 | 一种电容指纹传感器，包括：指纹感测电极Cfp，用于感测人的指纹；第一晶体管T1，其中，流过所述第一晶体管T1的电流量根据所述指纹感测电极的输出电压而改变；第二晶体管T2，其中，流过所述第二晶体管T2的电流量根据流过所述第一晶体管T1的电流之间的差而改变；以及，第三晶体管T3，所述第三晶体管T3复位所述第一晶体管T1的栅极电极，并且经由脉冲信号提供与所述第一晶体管T1的所述栅极电极的电容耦合。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||