一种LDMOS晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种LDMOS晶体管结构及其制备方法，至少包含半导体衬底、第一高压阱区、第二高压阱区、第三高压阱区、第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区、源区、漏区、体引出区、栅极区和接触孔，所述接触孔分别设置于所述源区、漏区、体引出区以及栅极区上，设置于栅极区上的接触孔具体的纵向分布于第二浅沟槽隔离区上方的栅极多晶硅层一侧。本发明将接触孔重新设置分布于第二浅沟槽隔离区上方的栅极多晶硅层上，使得栅极区上的电场分布更加均匀，不会对有源区和栅极区交集够到的区域产生任何负面的影响，从设计上减小了LDMOS器件在整个芯片中所占据的面积，以达到最终客户芯片的尺寸的缩小。

主权项

一种LDMOS晶体管结构，其特征在于，所述LDMOS晶体管结构至少包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的第一高压阱区、第二高压阱区和第三高压阱区；所述第二高压阱区的掺杂类型和所述第一高压阱区、第三高压阱区的掺杂类型相反；形成于所述第一高压阱区中的第一浅沟槽隔离区；形成于所述第二高压阱区中的第二浅沟槽隔离区以及形成于所述第二高压阱区和所述第三高压阱区之间的第三浅沟槽隔离区；形成于所述半导体衬底上、覆盖部分第一高压阱区和第二高压阱区的栅极区，所述栅极区包含栅氧化层、位于所述栅氧化层上的栅极多晶硅层以及位于所述栅极多晶硅层两侧的侧墙；形成于所述栅极区两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述源区位于第一高压阱区中；所述漏区位于所述第二高压阱区中、且处于第二浅沟槽隔离区和第三浅沟槽隔离区之间；形成于所述第一高压阱区和第三高压阱区外侧的体引出区；若干自所述栅极区、源区、漏区以及体引出区引出的接触孔，自所述栅极区上引出的若干接触孔纵向排布于所述栅极区一侧。