发明名称 上拉电阻电路
摘要 一种上拉电阻电路,包括电源端、输出端、第一PMOS管以及传输单元;所述第一PMOS管的源极连接所述电源端,所述第一PMOS管的漏极连接所述输出端,所述第一PMOS管的衬底适于输入偏置电压,所述偏置电压的电压值与所述电源端的电压和所述输出端的电压中较大电压的电压值相等;所述传输单元适于在所述电源端的电压大于或等于所述输出端的电压时将上拉控制信号传输至所述第一PMOS管的栅极,在所述电源端的电压小于所述输出端的电压时将所述输出端的电压传输至所述第一PMOS管的栅极。本发明技术方案提供的上拉电阻电路工作于高压容限模式时,无倒灌电流产生,提高了整个集成电路的可靠性。
申请公布号 CN104660242A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201310582339.2 申请日期 2013.11.19
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 朱恺;陈捷;翁文君;莫善岳
分类号 H03K19/0175(2006.01)I 主分类号 H03K19/0175(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种上拉电阻电路,其特征在于,包括电源端、输出端、第一PMOS管以及传输单元;所述第一PMOS管的源极连接所述电源端,所述第一PMOS管的漏极连接所述输出端,所述第一PMOS管的衬底适于输入偏置电压,所述偏置电压的电压值与所述电源端的电压和所述输出端的电压中较大电压的电压值相等;所述传输单元适于在所述电源端的电压大于或等于所述输出端的电压时将上拉控制信号传输至所述第一PMOS管的栅极,在所述电源端的电压小于所述输出端的电压时将所述输出端的电压传输至所述第一PMOS管的栅极。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号