| 发明名称 | 用于发光二极管的{20-2-1}半极性氮化镓的PEC蚀刻 | ||
| 摘要 | 在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻的方法，用于提高来自在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104662678A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201380045358.X | 申请日期 | 2013.08.30 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | C-T·许;C-Y·黄;Y·赵;S-C·黄;D·F·费泽尔;S·P·丹巴瑞斯;S·纳卡姆拉;J·S·斯派克 |
| 分类号 | H01L33/16(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;张全信 |
| 主权项 | 制造发光器件的方法，包括：在半极性{20‑2‑1}III‑氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻，用于提高来自在半极性{20‑2‑1}III‑氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20‑2‑1}III‑氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||