| 摘要 |
<p>에칭 속도가 크고, 실리콘 산화물에 대한 실리콘 질화물의 에칭 선택비가 높은 액처리 방법, 액처리 장치 및 상기 방법을 기억한 기억 매체를 제공한다. 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 노출된 기판을 에칭 용액에 의해 에칭함에 있어서, 불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 에칭 용액을 조제하고, 이 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되도록, 당해 에칭 용액의 온도를 미리 설정한 시간 동안 140℃ 이상의 온도로 유지한 다음, 당해 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭한다.</p> |
