发明名称 ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM
摘要 <p>실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 높은 에칭 선택비를 달성하는 기술을 제공한다. 에칭 방법은 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 표면에 노출된 기판으로, 실릴화제를 공급하여 실리콘 산화막 표면에 실릴화막으로 이루어지는 보호막을 형성하는 공정을 가지고 있다. 이 후, 상기 기판으로 에칭액을 공급한다. 이에 의해, 실리콘 질화막만을 선택적으로 에칭한다.</p>
申请公布号 KR101523348(B1) 申请公布日期 2015.05.27
申请号 KR20120038571 申请日期 2012.04.13
申请人 发明人
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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