栅极保护盖及其形成方法

摘要

一种结构，包括：衬底、位于衬底上的栅极结构，位于所述衬底上方的介电层和位于所述栅极结构的栅电极上方的盖。介电层与栅电极的顶面共平面。栅极结构在第一和第二栅极结构侧壁之间延伸栅极横向距离。盖在第一和第二盖侧壁之间延伸。第一盖部分从栅极结构的中线朝向第一栅极结构侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达第一盖侧壁，并且第二盖部分从所述中线朝向第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达第二盖侧壁。第一盖横向距离和第二盖横向距离至少为栅极横向距离的一半。本发明还公开了栅极保护盖及其形成方法。

主权项

一种结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上方，所述栅极结构包括栅电极和栅极电介质，所述栅极结构在第一栅极结构侧壁和第二栅极结构侧壁之间横向延伸栅极横向距离；第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层的顶面与所述栅电极的顶面共平面；以及栅极保护盖，位于所述栅电极上方，所述栅极保护盖在第一盖侧壁和第二盖侧壁之间横向延伸，第一盖部分从所述栅极结构的中线朝向所述第一栅极结构的侧壁横向延伸第一盖横向距离并到达所述第一盖侧壁，第二盖部分从所述中线朝向所述第二栅极结构侧壁横向延伸第二盖横向距离并到达所述第二盖侧壁，所述第一盖横向距离和所述第二盖横向距离为所述栅极横向距离的至少一半。