发明名称 |
控制施加到磁性隧道结的电流的方向的系统和方法 |
摘要 |
本发明揭示一种控制施加到磁性隧道结(139)的电流的方向的系统及方法。在一特定实施例中,一种设备包含磁性隧道结MTJ存储元件及读出放大器(102)。所述读出放大器耦合到第一路径(114)及第二路径(116)。所述第一路径包括第一电流方向选择晶体管(118),且所述第二路径包括第二电流方向选择晶体管(120)。所述第一路径耦合到所述MTJ存储元件的位线(140),且所述第二路径耦合到所述MTJ存储元件的源极线(142)。 |
申请公布号 |
CN102714053B |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201180006124.5 |
申请日期 |
2011.01.14 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
金正丕;哈里·M·拉奥;李康浩 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种电子设备,其包含:磁性隧道结MTJ存储元件;读出放大器,其耦合到第一路径、第二路径及参考电路;其中所述第一路径包括第一电流方向选择晶体管,且所述第二路径包括第二电流方向选择晶体管;且其中所述第一路径耦合到所述MTJ存储元件的位线,且所述第二路径耦合到所述MTJ存储元件的源极线,其特征在于,所述第一电流方向选择晶体管和所述第二电流方向选择晶体管控制通过所述MTJ存储元件的读取电流的方向,且当选择所述第一路径时,所述电流流动通过第一预充电晶体管,且当选择所述第二路径时,所述电流流动通过第二预充电晶体管。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |