| 摘要 |
본 발명의 목적은, 높은 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어성 플라스틱 성형체를 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 가스 배리어성 플라스틱 성형체는, 플라스틱 성형체와, 상기 플라스틱 성형체의 표면에 설치한 가스 배리어 박막을 구비하는 가스 배리어성 플라스틱 성형체에 있어서, 상기 가스 배리어 박막은, 구성 원소로서 규소(Si), 탄소(C), 산소(O) 및 수소(H)를 함유하고, 또한 (수학식 1)로 표시되는 Si 함유율이 40.1% 이상인 Si 함유층을 갖는다. (수학식 1) Si 함유율[%]={(Si 함유량[atomic%])/(Si, O 및 C의 합계 함유량[atomic%])}×100 수학식 1에서, Si, O 또는 C의 함유량은 Si, O 및 C의 3 원소의 내역에서의 함유량이다. |
