| 摘要 |
플라즈마 에칭 방법은 제 1 공정과 제 2 공정을 포함한다. 제 1 공정은, 처리 챔버의 내부에 수용된 기판에 형성된 피처리막을 에칭하는 에칭 처리를 실행함으로써 피처리막에 홀을 형성한다. 제 2 공정은, 제거 공정과 퇴적 공정과 깊게 에칭하는 연장 공정을 반복 실행한다. 제거 공정은, 에칭 처리를 실행함으로써 형성된 홀의 입구부에 부착된 반응 생성물을 제거한다. 퇴적 공정은, 제거 공정에 의해 반응 생성물이 제거된 홀의 측벽부에 퇴적물을 퇴적시킨다. 연장 공정은, 퇴적 공정에 의해 퇴적물이 측벽부에 퇴적된 홀을, 에칭 처리를 진행시킴으로써 깊게 에칭한다. |
