| 发明名称 |
Nouveau procédé pour la fabrication d'éléments semi-conducteurs stratifiés et éléments conformes à ceux ainsi obtenus |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR1269547(A) |
申请公布日期 |
1961.08.11 |
| 申请号 |
FR19600840587 |
申请日期 |
1960.10.07 |
| 申请人 |
INTERMETALL-GESELLSCHAFT FUER METALLURGIE UND ELEKTRONIK M. B. H. |
发明人 |
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| 分类号 |
C23F1/04;C30B31/04;H01L21/00;H01L21/18;H01L21/24;H01L21/302;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/73;H01L29/76 |
主分类号 |
C23F1/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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