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<p>Verfahren für ein bidirektionales Beschreiben einer magnetischen Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff (MRAM-Einheit), die eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere angrenzend an die Referenzschicht, eine freie Schicht angrenzend an die Tunnelbarriere, einen Metallabstandshalter angrenzend an die freie Schicht, einen isolierenden Magneten angrenzend an den Metallabstandshalter und eine Metallerwärmungsvorrichtung angrenzend an den isolierenden Magneten aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Bewirken, dass der isolierende Magnet in Reaktion auf einen thermischen Gradienten spin-polarisierte Elektronen erzeugt; Initiieren einer Destabilisierung einer Magnetisierung der freien Schicht durch die von dem isolierenden Magneten erzeugten spin-polarisierten Elektronen; und Anlegen einer Spannung an die MRAM-Einheit nach dem Initiieren der Destabilisierung, um die Magnetisierung der freien Schicht zu wählen; wobei eine Polarität der Spannung bestimmt, ob die Magnetisierung der freien Schicht parallel oder antiparallel zu einer Magnetisierung der Referenzschicht ist.</p> |
