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一种光电伏打装置的制造方法，包括：形成障壁层在第一基底上；形成第一接合层在该障壁层上；形成表面保护膜在单晶半导体基底上；导入H+、H2+、及H3+离子至该单晶半导体基底中以在该单晶半导体基底的区域中形成分离层；藉由使用有机矽烷气体而以化学汽相沈积法，在该单晶半导体基底上形成氧化矽膜；藉由原子束或离子束照射，活化该第一基底的表面及该氧化矽膜的表面，藉由叠加以将该单晶半导体基底接合至该第一基底，并以该氧化矽膜、该障壁层及该第一接合层介于它们之间；在该单晶半导体基底与该第一基底彼此叠加的状态中执行热处理，以在该分离层中产生裂开；从该单晶半导体基底分开单晶半导体层，以在该第一基底上设置该单晶半导体层；及藉由添加杂质元素至该单晶半导体层以形成作为光电转换层的杂质半导体层。 |
