| 发明名称 | 电阻式记忆体及其记忆胞 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI485706 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
| 申请号 | TW102104960 | 申请日期 | 2013.02.07 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 侯拓宏;吴仕杰 |
| 分类号 | G11C13/00;G11C7/12 | 主分类号 | G11C13/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种电阻式记忆胞，包括：一基底；一第一参杂区，配置在该基底中；一第二参杂区，配置在该基底中；一闸极，配置在基底上，并覆盖部份该第一参杂区及部分该第二参杂区，该闸极为一浮动闸极，其中，该第一参杂区及该第二参杂区分别接收一第一参考电压及一第二参考电压，且该第一参杂区及该第二参杂区与该闸极的重叠区域分别依据该第一参考电压及该第二参考电压的一电压差提供不相同的一第一阻抗值以及一第二阻抗值。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||