| 主权项 |
一种横向高电压电晶体，包括：半导体层，具有第一导电类型；源极区，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，该源极区系形成于该半导体层中；汲极区，具有该第二导电类型，该汲极区系形成于该半导体层中并与该源极区相分离；第一隔离层，系形成在位于该源极区与汲极区之间的该半导体层上；第一井区，具有该第二导电类型，该第一井区系形成于该汲极区的周边，其边缘向该源极区延伸，但与该源极区相分离；第二井区，系形成于该源极区的周边，并具有该第一导电类型，该第二井区的边缘与该第一井区的边缘相邻；闸极区，系形成在位于该第二井区和第一井区之与该第二井区邻近的部分井之上的该第一隔离层上；以及第一掩埋层，系形成于该半导体层中，具有该第一导电类型，其中该第一掩埋层位于该第一井区的一部分下方，该第一井区的该部分靠近第一井区的边缘一侧并且具有与该第一掩埋层接触的底部，该第一井区的该部分亦被该闸极区遮盖，该第一井区的该部分、该闸极区、和该第一掩埋层形成接面型场效应电晶体，并且该接面型场效应电晶体的嵌位电压可以透过调节该第一掩埋层的宽度调节。
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