半导体加工方法

主权项

一种半导体加工方法，系将层积有：含有Hf或Zr的绝缘膜、及形成在前述绝缘膜上且含有Ti、Ta或Ru的第一膜、及形成在前述第一膜上的光阻剂的半导体基板，使用电浆来进行加工的半导体加工方法，其特征为：使用前述光阻剂，藉由电浆，将前述第一膜加工成65nm以下的尺寸，一面对前述第一膜已被加工成65nm以下的尺寸的半导体基板施加偏压电压，一面使用H2气体，将前述第一膜已被加工成65nm以下的尺寸的半导体基板进行电浆处理。