发明名称 单晶矽太阳能电池的制造方法及单晶矽太阳能电池
摘要
申请公布号 TWI485873 申请公布日期 2015.05.21
申请号 TW096140586 申请日期 2007.10.29
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏
分类号 H01L31/18;H01L31/042 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种单晶矽太阳能电池的制造方法,系于透明絶缘性基板上配置有单晶矽层作为光转换层之单晶矽太阳能电池的制造方法,其特征系至少包含准备透明絶缘性基板与第一导电型之单晶矽基板的步骤、于前述单晶矽基板注入氢离子或稀有气体离子的至少一方后,形成离子注入层的步骤、于前述透明绝缘性基板的至少一侧的表面上,形成透明导电性膜的步骤、于前述单晶矽基板的离子注入面及/或前述透明絶缘性基板上之前述透明导电性膜的表面上进行表面活性化处理的步骤、使前述单晶矽基板的离子注入面与前述透明絶缘性基板上之前述透明性导电膜之表面贴合的步骤且进行300℃以下之热处理的步骤、给予前述离子注入层冲撃而使前述单晶矽基板机械性地剥离,成为单晶矽层的步骤、于前述单晶矽层上,形成与前述第一导电型不同导电型之第二导电型的扩散层后,形成pn接合的步骤、于前述单晶矽层上形成电极的步骤。
地址 日本