| 发明名称 |
具有埋置应变层和减少之浮体效应的ＳＯＩ电晶体以及用于形成该ＳＯＩ电晶体之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI485856 |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
TW096114200 |
申请日期 |
2007.04.23 |
| 申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
韦 安迪;坎姆勒 索斯顿;候尼史奇尔 詹;郝斯特门 马弗雷 |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：含矽半导体层，形成于埋藏绝缘层上；闸极电极，形成于该含矽半导体层上方且藉由闸极绝缘层而与该含矽半导体层隔开；侧壁间隔物，形成于该闸极电极的侧壁；应变矽/锗材料，形成在与该侧壁间隔物毗邻的该半导体层中；以及汲极区与源极区，部份地形成于该应变矽/锗材料内，该汲极区与该源极区在其之间界定浮体区，该等汲极与源极区系形成界定出与该浮体区相接之各别的PN接面，该PN接面之一部份系位在该应变矽/锗材料内。
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| 地址 |
美国 |
