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经营范围
发明名称
高崩溃电压二极体及其形成方法
摘要
申请公布号
TWI485780
申请公布日期
2015.05.21
申请号
TW096135161
申请日期
2007.09.20
申请人
微协通用半导体有限责任公司
发明人
高隆庆;龚璞如
分类号
H01L21/332;H01L29/74
主分类号
H01L21/332
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种多层过电压保护装置的制造方法,包括步骤:提供具有第一导电性型态之第一杂质浓度的基板用以界定中间区域层;使具有第二导电性型态之掺杂物以少于该第一杂质浓度之第二杂质浓度导入该基板;在该中间区域层之上表面形成具有第二导电性型态之上基极区域;在该中间区域层之下表面形成具有第二导电性型态之下基极区域;在该上基极区域之表面上形成具有第一导电性型态之第一射极区域;使第一金属接点与该上基极区域耦合;及使第二金属接点与该下基极区域耦合。
地址
美国
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