| 发明名称 | 基板处理方法，半导体装置的制造方法，基板处理装置，及记录媒体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI485778 | 申请公布日期 | 2015.05.21 |
| 申请号 | TW096110641 | 申请日期 | 2007.03.27 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 三好秀典 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 | |
| 主权项 | 一种基板处理方法，为在减压之处理容器，形成有绝缘膜及金属层之被处理基板的基板处理方法，其特征为：系具有：使上述被处理基板，加热保持于100~300℃之温度，将气化或昇华之有机酸的金属错合物或有机酸的金属盐供应至上述被处理基板上，并供给H2O之处理制程。 | ||
| 地址 | 日本 | ||