| 发明名称 |
改善された降伏電圧とカットオフ周波数との積を有するＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| 摘要 |
ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）（２００）の降伏電圧（ＢＶＣＥＯ）とカットオフ周波数（ｆＴ）の積が、ベース（１５０）から下方に重ドープ埋込コレクタ領域（１２０）まで延びる中空コアを備えるドープされた領域（２１０）を用いることによって、ジョンソンリミットを超えて増大される。ドープされた領域及び埋込コレクタ領域は、逆のドーパント型を有する。 |
| 申请公布号 |
JP2015515129(A) |
申请公布日期 |
2015.05.21 |
| 申请号 |
JP20150501948 |
申请日期 |
2013.03.25 |
| 申请人 |
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社;テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド |
发明人 |
ジェフェリー エイ バブコック;アレクセイ サドヴニコフ |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8228;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/737 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
