发明名称 |
晶粒选择方法及坏晶地图产生方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶粒选择方法及坏晶地图产生方法。此晶粒选择方法包括下列步骤:点测多个晶粒,以测量这些晶粒的光电特性;将具有相近光电特性的这些晶粒转移至分选载体;通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的这些晶粒,以产生观测结果,其中观测结果包括这些晶粒在分选载体上的位置及这些晶粒是否有损伤;依照观测结果描绘坏晶地图,其中坏晶地图具有至少一坏晶标记,以标示出这些晶粒中有损伤者的位置;依照坏晶地图的坏晶标记来挑除这些晶粒中有损伤者。 |
申请公布号 |
CN104637833A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201410486306.2 |
申请日期 |
2014.09.22 |
申请人 |
旺矽科技股份有限公司 |
发明人 |
蔡振扬;廖惇材;周明澔;杨上毅;吴佳兴 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种晶粒选择方法,其特征在于,包括:点测多个晶粒,以测量所述多个晶粒的光电特性;将具有相近光电特性的所述多个晶粒转移至分选载体;通过自动化光学检测设备来观测在所述分选载体上的所述多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒在所述分选载体上的位置及所述多个晶粒是否有损伤;依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置;以及依照所述坏晶地图的所述坏晶标记来挑除所述多个晶粒中有损伤者。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市中和街155号 |