| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件。提供一种包含复合半导体主体的半导体器件，所述复合半导体主体包含高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管。高电压耗尽模式晶体管被堆叠在低电压增强模式晶体管上使得在高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管之间形成界面。低电压增强模式晶体管包含与高电压耗尽模式晶体管的电流路径串联耦合的电流路径，以及布置在界面处的控制电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104637943A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410621830.6 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：复合半导体主体，包括： 高电压耗尽模式晶体管；以及 低电压增强模式晶体管，高电压耗尽模式晶体管被堆叠在低电压增强模式晶体管上使得在高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管之间形成界面， 其中低电压增强模式晶体管包括与高电压耗尽模式晶体管的电流路径串联耦合的电流路径以及布置在界面处的控制电极。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||