发明名称 |
发光元件及其制法 |
摘要 |
本发明公开一种发光元件的制法,其步骤包括:提供一第一基板,其上形成有以沟槽为间隔的多个发光叠层;以一液态的介电材料填入沟槽中及发光叠层的一侧表面上;以及进行一固化程序,以形成填充于沟槽中的一隔离部、及形成于发光叠层上的一介电层。基于上述制法,本发明也揭示一种发光元件。 |
申请公布号 |
CN102456775B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201010511905.7 |
申请日期 |
2010.10.14 |
申请人 |
晶元光电股份有限公司 |
发明人 |
吴俊毅;刘美君;陶青山;吕志强;谢明勋 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种发光元件的制法,其步骤包括:提供一第一基板;形成多个发光叠层于该第一基板上,其步骤包括:形成一半导体叠层于该第一基板上,该半导体叠层包括形成于该第一基板上的一第一半导体层、形成于该第一半导体层上的一发光层、以及形成于该发光层上的一第二半导体层;以及形成至少一沟槽穿透该第一半导体层、发光层及该第二半导体层,以形成该些发光叠层,且使该些发光叠层间无彼此相连的半导体层;以一液态介电材料填入该沟槽中及该些发光叠层上;以及进行一固化程序,以形成一介电结构,该介电结构包括填充于该沟槽中的一隔离部、及形成于该些发光叠层上的一介电层,提供一第二基板,将该第二基板直接接合于该介电层。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |