一种改进的场板结构氮化镓高电子迁移率晶体管

摘要

本发明是一种铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管，其结构包括：包括半导体有源层、与半导体有源层形成欧姆接触的源电极、与半导体有源层形成欧姆接触的漏电极以及覆盖半导体有源层、源电极、漏电极的第一介质层。优点,当源场板与源电极处于同一电位上，而一旦栅电极与源场板之间的介质发生击穿或者由于外界机械力导致介质层断裂引起栅电极与源场板之间发生短路时，栅电极及源场板将与源电极将处于不同电位上，使栅电极依然能够起到对沟道电流的控制作用，不至引起器件的烧毁。通过源场板与源电极之间串联的电容,当器件工作在微波状态下时，源场板与源电极通过电容上的位移电流作用实现微波状态下的电连接，保证了器件工作时的微波稳定性。

主权项

一种铝镓氮化合物/氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征是结构包括：——半导体有源层、与半导体有源层形成欧姆接触的源电极、与半导体有源层形成欧姆接触的漏电极；——覆盖在半导体有源层、源电极以及漏电极上的第一介质层；——“T”型结构的栅电极位于源电极与漏电极之间，“T”型栅电极底部与半导体有源层形成肖特基接触，两边向源电极和漏电极延伸部分骑在第一介质层上；——覆盖在“T”型结构栅电极上的第二介质层，第二介质层同时覆盖在半导体有源层、源电极、漏电极的第一介质层上；——骑在“T”型结构栅电极上的源场板，中间通过第二介质层相隔离；——源场板通过一个电阻与源电极相连接；——源场板与源电极之间串联有一个电容。