多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

摘要

本发明公开种多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，沉淀高K值氧化硅薄膜；步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述高K值氧化硅薄膜；步骤3，沉淀低k值介质层覆盖步骤2中剩余的高K值氧化硅薄膜；步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层上表面；步骤5，在所述低k值介质层上制作金属槽和通孔，所述通孔底部接触所述高K值氧化硅薄膜上表面；步骤6，在所述金属槽和通孔中填充金属后进行化学机械研磨。本发明有效地提高层间和层内电容器的电容；改善金属-氧化硅-金属（MOM）电容器的击穿电压、漏电流等各电特性以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种多层金属‑多层绝缘体‑金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，沉淀高K值氧化硅薄膜；步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述高K值氧化硅薄膜；步骤3，沉淀低k值介质层覆盖步骤2中剩余的高K值氧化硅薄膜；步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层上表面；步骤5，在所述低k值介质层上制作金属槽和通孔，所述通孔底部接触所述高K值氧化硅薄膜上表面；步骤6，在所述金属槽和通孔中填充金属后进行化学机械研磨其中，所述高K值氧化硅薄膜通过多次循环执行如下步骤形成：步骤111，沉积氧化硅；步骤112，提供含氧气体处理所述沉积的氧化硅。