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Hallsensorvorrichtung auf einem Halbleiterkörper ausgebildet, mit einem ersten Hallsensor und einem zweiten Hallsensor, wobei jeder der beiden Hallsensoren wenigstens vier einzelne Hallelemente aufweist und die vier Hallelemente in einer Reihenschaltung verschaltet sind, und wobei jedes Hallelement drei in einer Reihe angeordnete Anschlusskontakte aufweist, und wobei der mittlere Anschlusskontakt unmittelbar benachbart zwischen den beiden äußeren Anschlusskontakten angeordnet ist, und die Reihenschaltung durch eine Zusammenschaltung oder Verschaltung der jeweils äußeren Anschlusskontakte ausgebildet ist und wobei der Anfang und das Ende der Reiherschaltung miteinander kurzgeschlossen ist und wobei die Hallelemente jeweils in einem Halbleiterwannengebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind, und wobei die Halbleiterwannengebiete der einzelnen Hallelemente voneinander getrennt sind, und wobei der erste Hallsensor und der zweite Hallsensor parallel verschaltet sind, in dem jeweils ein mittlerer Anschlusskontakt eines Hallelements des ersten Hallsensors mit einem mittleren Anschlusskontakt eines Hallelementes des zweiten Hallsensors verschaltet ist. |
