用于电可擦写只读存储器的读出电路和读出方法

摘要

一种用于电可擦写只读存储器的读出电路和读出方法，该读出电路包含比较器，参考电阻，传感电阻，参考单元和存储单元，该读出电路中仅需要配置一个参考单元，在进行读操作的过程中利用了同一个参考单元，参考单元的阈值电压设置为中性阈值电压，并且参考单元控制栅上的电压也设置为固定值，从而显著减少了制造过程中的配置时间，而加在存储单元控制栅上的阈值是随工作模式变化的，同时，由于读操作及编程校验操作时加在存储单元控制栅上的电压相对以往技术更低，因此栅电压应力效应减少，参考单元的阈值电压被设置在中性阈值电压附近，使得参考单元的阈值电压更加稳定。

主权项

一种用于电可擦写只读存储器的读出电路，其特征在于，该读出电路包含比较器（420），参考电阻（412），传感电阻（414），该读出电路还包含参考单元（Q_R）和存储单元（Q_C）；参考电阻（412）的一端接电压源（VCC），另一端在参考结点（Y）处与比较器（420）的同相输入端相连，参考结点（Y）通过参考位线（REF）与参考单元（Q_R）的漏极端相连，传感电阻（414）的一端接电压源（VCC），另一端在存储结点（X）处与比较器（420）的反相输入端相连，存储结点（X）通过被选中的位线（BL）与存储单元（Q_C）的漏极端相连；所述参考电阻（412）和传感电阻（414）的阻值相同；所述参考单元（Q_R）的阈值电压（V_TR）被调整为接近中性阈值电压UV_VT；加在参考单元（Q_R）控制栅上的电压是一个固定电压（RVG）；所述的加在参考单元（Q_R）控制栅上的固定电压值（RVG）比阈值电压（V_TR）高；加在存储单元（Q_C）控制栅上的电压VG_SENSE在不同的工作模式下是不同的：在进行读操作时，令VG_SENSE=VG_RD；在进行擦除校验操作时，令VG_SENSE=VG_ERS；在进行编程校验操作时，令VG_SENSE=VG_PGM；在进行过擦出校验操作时，令VG_SENSE=VG_OEC；4个电压值满足以下关系：VG_OEC < VG_ERS < VG_RD < VG_PGM；VG_OEC由过擦除纠正后的存储单元目标阈值决定；VG_ERS由擦除后的存储单元目标阈值决定；VG_PGM由编程后的存储单元目标阈值决定；VG_RD由读操作时的判决阈值决定。