发明名称 半导体器件和相应的制造方法
摘要 本发明提供一种半导体器件和一种相应的制造方法。半导体器件包括衬底(1;1');模制封装;和半导体芯片(5;5'),该半导体芯片在模制封装(8)中在衬底(1;1')上方被如此地悬置在模制材料处,使得空腔(10)将半导体芯片(5;5')与衬底(1;1')机械地分离,其中,空腔(10)沿着与衬底(1;1')面对的底面(U;U')延伸。
申请公布号 CN102741154B 申请公布日期 2015.05.20
申请号 CN201080063369.7 申请日期 2010.12.20
申请人 罗伯特·博世有限公司 发明人 R. 埃伦普福特
分类号 B81B7/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李永波;杨国治
主权项 半导体器件,具有:衬底(1;1');模制封装(8);和半导体芯片(5;5'),所述半导体芯片在所述模制封装(8)中在所述衬底(1;1')上方这样地悬置在模制材料处,使得一个空腔(10)将所述半导体芯片(5;5')的整个底面(U;U’)与衬底(1;1')机械地分离,其中,所述空腔(10)沿着所述半导体芯片的一个与所述衬底(1;1')面对的底面(U;U’)延伸。
地址 德国斯图加特