硅通孔刻蚀方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，包括交替进行的刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤的执行时间不超过相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间，且所述侧壁沉积步骤的执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着刻蚀深度逐渐变深，侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的侧壁沉积步骤的执行时间，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布，实现高深宽比结构刻蚀的均一性，并保障了刻蚀结构表面粗糙度和侧壁垂直度，能够获得高质量的刻蚀结构。

主权项

一种硅通孔刻蚀方法，其中包括交替进行的刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，其特征在于：所述侧壁沉积步骤的执行时间不超过相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间，且所述侧壁沉积步骤的执行时间逐次减少。