发明名称 |
氧化碳薄膜的制造方法和具有氧化碳薄膜的元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明的氧化碳薄膜的制造方法包括:准备碳薄膜和与碳薄膜相接且含有Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的铁氧化物的第1步骤;和通过在碳薄膜与铁氧化物之间施加使碳薄膜一侧为正的电压或电流,使碳薄膜中与铁氧化物相接的部分氧化,变成由氧化碳构成的氧化部,形成具有氧化部的氧化碳薄膜的第2步骤。该制造方法是能够对以石墨烯为首的碳薄膜形成纳米级图案的方法,对形成的图案造成的损害小,与半导体工艺的亲和性高,能够作为用于制造电子装置的工艺技术的通用性应用。 |
申请公布号 |
CN103140440B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201180047331.5 |
申请日期 |
2011.11.21 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
小田川明弘;松川望 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种氧化碳薄膜的制造方法,其特征在于,包括:准备碳薄膜和与所述碳薄膜相接且含有Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的铁氧化物的第1步骤;和通过在所述碳薄膜与所述铁氧化物之间施加使所述碳薄膜一侧为正的电压或电流,使所述碳薄膜中与所述铁氧化物相接的部分氧化,变成由氧化碳构成的氧化部,形成具有所述氧化部的氧化碳薄膜的第2步骤。 |
地址 |
日本大阪府 |