发明名称 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板
摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板,包括:第一金属层,所述第一金属层内设置有栅极线和共通线;第二金属层,所述第二金属层内设置有数据线、源极和漏极,栅极线与漏极存储电容区靠近栅极线一侧的距离大于栅极线与共通线靠近栅极线一侧的距离,栅极线与所述漏极远离栅极线一侧的距离大于栅极线与共通线存储电容区远离栅极线一侧的距离。当制作数据线、源极、漏极的过程中,若曝光机在垂直于栅极线方向偏移,对应于该数据线的像素的馈通电压不会因栅-漏电容的变化而发生大的变化,避免了因栅-漏电容的变化不一致而造成的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板内像素的馈通电压不均匀现象的发生,提高了薄膜晶体管显示器的显示品质。
申请公布号 CN103135301B 申请公布日期 2015.05.20
申请号 CN201110392767.X 申请日期 2011.11.30
申请人 上海中航光电子有限公司 发明人 周思思;夏志强
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明
主权项 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板,其特征在于,包括:第一金属层,所述第一金属层内设置有栅极线和共通线;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在第一金属层表面上;有源层,所述有源层设置在所述栅极绝缘层表面上;第二金属层,所述第二金属层设置在有源层和栅极绝缘层表面上,且所述第二金属层内设置有数据线、源极和漏极,所述漏极上与共通线重叠的部分为漏极存储电容区,所述共通线上与漏极重叠的部分为共通线存储电容区,在同一个像素区域内,栅极线与所述漏极存储电容区靠近栅极线一侧的距离大于栅极线与共通线靠近栅极线一侧的距离,栅极线与所述漏极远离栅极线一侧的距离大于栅极线与共通线存储电容区远离栅极线一侧的距离。
地址 201108 上海市闵行区华宁路3388号