大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法

摘要

本发明公开了一种大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法，包括：（1）合成黄原酸镍前驱体；（2）硫化镍二维纳米片阵列的制备：将黄原酸镍前驱体粉末放入加热装置中加热到160-360℃，保温10-300分钟，即能够在黄原酸镍前驱体附近的基片上有硫化镍二维纳米片阵列生成。本发明工艺过程简单，制备参数易控，重复性好，可以大规模工业化生产。而且数据结果翔实，可充分证明该方法的可行性。通过上述工艺，可以避免通常的多步复杂工艺、工艺周期长或高真空昂贵设备等，为低成本大规模应用提供了一种极具潜力的候选方案。

主权项

一种大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法，其特征是，包括：（1）合成黄原酸镍前驱体；所述黄原酸镍前驱体为不同链长的烷基，即乙基黄原酸镍、丙基黄原酸镍、异丙基黄原酸镍、丁基黄原酸镍、异丁基黄原酸镍、叔丁基黄原酸镍、戊基黄原酸镍、异戊基黄原酸镍和叔戊基黄原酸镍中的一种或几种的混合物；（2）硫化镍二维纳米片阵列的制备：将黄原酸镍前驱体粉末放入加热装置中加热到160‑360℃，保温10‑300分钟，即能够在黄原酸镍前驱体附近的基片上有硫化镍二维纳米片阵列生成；所述硫化镍纳米片阵列的室温电导率高达2.6×10⁵ S/m，相当于金属薄膜的电导率10⁵～10⁶ S/m，能够直接取代金属电极使用。