一种双镶嵌结构的形成方法

摘要

本发明提供一种双镶嵌结构的形成方法，其具有以下步骤：1）提供一表面具有导电结构的半导体衬底，在衬底上形成层间介质层；2）在层间介质层上依次形成氮化硅层、非晶硅层、底部抗反射层、第一光刻胶层、低温阻隔层和第二光刻胶层；3）对第二光刻胶层进行沟槽的图形化；4）湿法刻蚀沟槽下的低温阻隔层；5）对所述的第一光刻胶层进行通孔的图形化；6）以非晶硅层和氮化硅层为硬掩膜图形化层间介质层，形成沟槽和通孔；7）在沟槽和通孔中填充阻挡层材料和导电材料；8）对阻挡层材料和导电材料进行平坦化处理，形成双镶嵌结构。本发明避免了对通孔或沟槽进行填充，降低了工艺难度；光刻胶表面平整，工艺更加稳定，非常适于实用。

主权项

一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：其具有以下步骤：1)提供一表面具有导电结构的半导体衬底，在衬底上形成层间介质层；2)在所述的层间介质层上依次形成氮化硅层、非晶硅层、底部抗反射层、第一光刻胶层、低温阻隔层和第二光刻胶层；3)对所述的第二光刻胶层进行沟槽的图形化；4)湿法刻蚀沟槽下的低温阻隔层；5)对所述的第一光刻胶层进行通孔的图形化；6)以所述的非晶硅层和氮化硅层为硬掩膜图形化层间介质层，形成沟槽和通孔；7)在所述的沟槽和通孔中填充阻挡层材料和导电材料；8)对所述的阻挡层材料和导电材料进行平坦化处理，形成双镶嵌结构；所述非晶硅层为APF层，金属导线和插塞上下堆叠形成所述双镶嵌结构。