具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延层的透明衬底，该衬底具有台阶形结构，且至少衬底侧边上部为与竖直方向成10-45°夹角的倾斜边。该方法为：首先以彼此之间成20-90°夹角的两束激光自衬底背面倾斜切入衬底至第一设定深度，且形成的两条倾斜切痕彼此无交叉；其后以平行排布在两条倾斜切痕之间的多束激光垂直切入衬底至第二设定深度，从而在衬底上形成Y型切槽，该第二设定深度大于第一设定深度；最后以一束激光自切槽槽底垂直切穿衬底和生长于衬底正面的外延层，将相邻LED芯片自预定分割位置分离。本发明LED芯片结构简单，发光效率高，且其制备工艺简便高效，无需裂片操作，成本低廉，良品率高。

主权项

一种具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述LED芯片包括正面(1a)生长有外延层(2)的透明衬底(1)，所述透明衬底(1)具有台阶形结构，所述台阶形结构包括沿从上到下的顺序层叠设置的第二部分(12)和第一部分(11)，所述第一部分(11)的下端面为所述正面(1a)，其中，第一部分为矩形体结构，第二部分下部为矩形体结构，上部为四棱台型结构，并且第二部分的下端面面积大于上端面面积，但小于第一部分上端面面积，而所述四棱台型结构的侧边为与竖直方向成10‑45°夹角的倾斜边，其中所述透明衬底(1)为蓝宝石基片；所述制备方法为：(1)以彼此之间成20‑90°夹角的两束激光自透明衬底背面(1b)倾斜切入透明衬底至第一设定深度形成两条倾斜切痕，该两条倾斜切痕彼此之间成20‑90°夹角但无交叉；(2)以密集平行排布在两条倾斜切痕之间的五束以上激光垂直切入衬底至第二设定深度，且该五束以上激光中位于最外侧的两束激光分别与该两条倾斜切痕的末端交叉，从而在衬底上形成Y型切槽(1c)，所述第二设定深度大于第一设定深度；(3)以一束激光自切槽槽底垂直切穿衬底和生长于衬底正面(1a)的外延层(2)，将相邻LED芯片自预定分割位置分离。