用于氮化镓肖特基二极管的端接结构

摘要

一种用于氮化物肖特基二极管的端接结构，包括一个通过外延生长的P-型氮化物化合物半导体层构成的保护环，以及一个形成在保护环上的电介质场板。端接结构形成在肖特基二极管的阳极电极边缘处，以降低阳极电极边缘处的电场拥挤，尤其是当肖特基二极管反向偏置时。在一个实施例中，P-型外延层含有一个步阶凹陷，以进一步提高端接结构的场扩散效应。

主权项

一种氮化物肖特基二极管，包括：一个第一导电类型的氮化物半导体衬底；一个第一金属层，形成在氮化物半导体衬底正面，构成一个肖特基结，第一金属层构成肖特基二极管的阳极电极；一个阴极电极，与氮化物半导体衬底电接触；以及一个端接结构，形成在氮化物半导体衬底的正面，以及阳极电极的边缘处，配置端接结构，降低阳极电极边缘处的电场拥挤，该端接结构包括：一个由第二导电类型的氮化物外延层构成的保护环，第二导电类型与第一导电类型相反，外延层形成在第一金属层的边缘处氮化物半导体衬底的正面，一部分氮化物外延层延伸到第一金属层下方，氮化物外延层具有一个步阶凹陷，较薄的外延层部分朝着肖特基二极管的肖特基结；以及一个电介质场板，形成在氮化物外延层的顶面上，电介质场板最多延伸到氮化物外延层的步阶凹陷。