发明名称 |
离子阱中的离子选择方法及离子阱装置 |
摘要 |
本发明提供能够以短时间且高分离能力分离目的离子并残留在离子阱内的离子选择方法。在数字离子阱中,通过利用了FNF信号等的粗分离,选择性地留下目的离子附近的稍宽的m/z范围的离子(S11)后,通过改变方波电压的占空比,以高分离能力除去低质量侧的不需要的离子(S12)。进而,利用共振激发排出来以高分离能力除去高质量侧的不需要的离子(S13)。 |
申请公布号 |
CN104641452A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201380046846.2 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
株式会社岛津制作所 |
发明人 |
小寺庆;狭间一 |
分类号 |
H01J49/42(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/42(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
肖华 |
主权项 |
一种离子阱的离子选择方法,其特征在于,所述离子阱的离子选择方法是在被捕捉到由3个以上的电极组成的离子阱中的离子之中,选择具有特定的质荷比的离子或具有特定的质荷比范围的离子群的离子选择方法,所述离子阱的离子选择方法以下述顺序、下述顺序的相反顺序或同时来实施:低质量侧离子分离步骤,对于被捕捉到所述离子阱中的离子,进行离子排出操作,由此除去不需要的离子,其中,所述离子排出操作是通过变更基于Mathieu方程式的稳定区域图上的动作线的位置,改变可捕捉的下限质量而排出一部分离子的离子排出操作,所述不需要的离子是具有低于作为选择对象的特定的质荷比或特定的质荷比范围的质荷比的离子;高质量侧离子分离步骤,对于被捕捉到所述离子阱中的离子,进行利用共振激发来排出一部分离子的离子排出操作,由此除去不需要的离子,其中,所述不需要的离子是具有高于作为选择对象的特定的质荷比或特定的质荷比范围的质荷比的离子。 |
地址 |
日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地 |