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<p>메모리 셀의 면적을 증가시키지 않고, 메모리 트랜지스터의 기록 전압 및 소거 전압을 저감하고, 기록 전압 및 소거 전압을 증가시키지 않고 메모리 셀 면적을 축소한다. 메모리 셀에는 제 1 섬 형상 반도체 영역, 플로팅 게이트, 컨트롤 게이트를 갖는 메모리 트랜지스터가 형성된다. 또한, 플로팅 게이트 아래 쪽에는 절연막을 사이에 두고 제 2 섬 형상 반도체 영역이 형성된다. 제 2 섬 형상 반도체 영역은 컨트롤 게이트에 전기적으로 접속되기 때문에, 제 2 섬 형상 반도체 영역과 플로팅 게이트 사이에 정전 용량이 형성된다. 이 정전 용량은 메모리 트랜지스터의 커플링 비율의 증가에 기여하기 때문에, 메모리 셀의 면적을 증가시키지 않고, 커플링 비율을 높일 수 있다. 또한, 커플링 비율을 저하시키지 않고, 메모리 셀의 면적을 축소할 수 있다.</p> |
