矽系基板、半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明是一种矽系基板，用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，该矽系基板的特征在于具有：第一部分，其具有第一杂质浓度且位于前述矽系基板的表面侧；及，第二部分，其具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于前述矽系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×10 14 atoms/atoms cm 3 以上且未满1×10 19 atoms/cm 3 。藉此，提供一种矽系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。