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Halbleiter-Lichterfassungselement (10), das ein Halbleitersubstrat (1N) mit zueinander gegenüberliegenden ersten und zweiten Hauptoberflächen (1Na, 1Nb) hat; wobei das Halbleiter-Lichterfassungselement einen oder mehr Kanäle hat, wobei jeder Kanal zusammengesetzt ist aus einer Photodiodengruppierung (PDA) mit einer Vielzahl von Avalanche-Photodioden (APD), die ausgebildet sind in einem Geiger-Modus zu arbeiten und in dem Halbleitersubstrat (1N) gebildet sind, Quenching-Widerständen (R1), die in Reihe mit den jeweiligen Avalanche-Photodioden (APD) geschaltet sind und auf der ersten Hauptoberflächenseite (1Na) des Halbleitersubstrats (1N) angeordnet sind, und Signalleitungen (TL), mit denen die Quenching-Widerstände (R1) parallel geschaltet sind, und die auf der ersten Hauptoberflächenseite (1Na) des Halbleitersubstrats (1N) angeordnet sind, wobei in dem Halbleitersubstrat (1N) Durchgangslochelektroden (TE), die elektrisch mit den Signalleitungen (TL) verbunden sind und von der ersten Hauptoberflächenseite (1Na) zu der zweiten Hauptoberflächenseite (1Nb) durchdringen, für die jeweiligen ein oder mehr Kanäle gebildet sind, und wobei die Durchgangslochelektroden (TE) ausgebildet sind, um durch Bump-Elektroden (BE) mit entsprechenden Elektroden (E9) eines Montagesubstrats (20) verbunden zu werden. |
