薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置

摘要

薄膜晶体管阵列基板的第一金属层形成在基板上。第一绝缘保护层形成在基板上并覆盖第一金属层。半导体层形成在第一绝缘保护层上。第二金属层形成在第一绝缘保护层上，包括第一源漏极和第二源漏极。第二绝缘保护层形成在第一绝缘保护层上并具有第一通孔露出第一源漏极。第一电极形成在第二绝缘保护层上。第三金属层形成在第二绝缘保护层和第一电极上填入第一通孔与第一源漏极接触，且第三金属层的部分位于第一电极上与第一电极接触。第三绝缘保护层覆盖第二绝缘保护层、第一电极以及第三金属层。第二电极形成在第三绝缘保护层上。薄膜晶体管阵列基板具有高开口率和穿透率。本发明还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法及液晶显示装置。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，形成在该基板上；第一绝缘保护层，形成在该基板上并覆盖该第一金属层；半导体层，形成在该第一绝缘保护层上并位于该第一金属层上方；第二金属层，形成在该第一绝缘保护层上，包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，该第一源漏极和该第二源漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触，以使部分的该半导体层从该第一源漏极和该第二源漏极之间露出；第二绝缘保护层，形成在该第一绝缘保护层上，并覆盖该第二金属层，包括该第一源漏极和该第二源漏极和数据线以及覆盖从该第一源漏极和该第二源漏极之间露出部分的该半导体层，该第二绝缘保护层具有第一通孔，以露出该第一源漏极；第一电极，形成在该第二绝缘保护层上；第三金属层，形成在该第二绝缘保护层和该第一电极上，位于该第二绝缘保护层的该第三金属层填入该第一通孔中与该第一源漏极接触，且该第三金属层的部分位于该第一电极上并与该第一电极接触；第三绝缘保护层，覆盖该第二绝缘保护层、该第一电极以及该第三金属层；以及第二电极，形成在该第三绝缘保护层上并位于该第一电极的上方。