发明名称 |
电阻式非挥发性存储器装置及其制作方法 |
摘要 |
一种电阻式非挥发性存储器装置及其制作方法,该制作方法包括:提供一基底,其中基底上包括一下电极层、一电阻转换层、一上电极层和一第一罩幕;形成一层间介电层于基底上方;形成一第二罩幕于层间介电层上;利用第二罩幕作为蚀刻罩幕,蚀刻层间介电层,以形成一开口,其暴露第一罩幕;形成一间隙壁层于开口的底部和侧壁上;移除开口底部上的部分间隙壁层;进行一等向性蚀刻,移除开口中的部分第一罩幕。本发明可解决电阻式非挥发性存储装置的制造工艺相关的问题,获得较佳的可靠度。 |
申请公布号 |
CN104617217A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201310535519.5 |
申请日期 |
2013.11.01 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
吴伯伦;沈鼎瀛;李彦德 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
汤在彦 |
主权项 |
一种电阻式非挥发性存储器装置的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一基底,其中该基底上包括一下电极层、一电阻转换层、一上电极层和一第一罩幕;形成一层间介电层于该基底上方;形成一第二罩幕于该层间介电层上;利用该第二罩幕作为蚀刻罩幕,蚀刻该层间介电层,以形成一开口,其暴露该第一罩幕;形成一间隙壁层于该开口的底部和侧壁上;移除开口底部上的部分间隙壁层;及进行一等向性蚀刻工艺,移除该开口中的该第一罩幕。 |
地址 |
中国台湾台中市 |