发明名称 电阻式非挥发性存储器装置及其制作方法
摘要 一种电阻式非挥发性存储器装置及其制作方法,该制作方法包括:提供一基底,其中基底上包括一下电极层、一电阻转换层、一上电极层和一第一罩幕;形成一层间介电层于基底上方;形成一第二罩幕于层间介电层上;利用第二罩幕作为蚀刻罩幕,蚀刻层间介电层,以形成一开口,其暴露第一罩幕;形成一间隙壁层于开口的底部和侧壁上;移除开口底部上的部分间隙壁层;进行一等向性蚀刻,移除开口中的部分第一罩幕。本发明可解决电阻式非挥发性存储装置的制造工艺相关的问题,获得较佳的可靠度。
申请公布号 CN104617217A 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201310535519.5 申请日期 2013.11.01
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 吴伯伦;沈鼎瀛;李彦德
分类号 H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 汤在彦
主权项 一种电阻式非挥发性存储器装置的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一基底,其中该基底上包括一下电极层、一电阻转换层、一上电极层和一第一罩幕;形成一层间介电层于该基底上方;形成一第二罩幕于该层间介电层上;利用该第二罩幕作为蚀刻罩幕,蚀刻该层间介电层,以形成一开口,其暴露该第一罩幕;形成一间隙壁层于该开口的底部和侧壁上;移除开口底部上的部分间隙壁层;及进行一等向性蚀刻工艺,移除该开口中的该第一罩幕。
地址 中国台湾台中市