半导体装置

摘要

本申请涉及半导体装置。在不增加制造步骤的数量的情况下，高度集成在一元件中的多个晶体管中的至少一个设置有背栅。在包括纵向层叠的多个晶体管的元件中，上部中的至少一个晶体管包括具有半导体特性的金属氧化物，与下部中的晶体管的栅电极相同的层被设置成与上部中的晶体管的沟道形成区重叠，并且与栅电极功能相同的层的部分用作上部中的晶体管的背栅。覆盖有绝缘层的下部中的晶体管进行平面化处理，由此栅电极露出且连接到用作上部中的晶体管的源电极和漏电极的层。

主权项

一种包括电路的半导体装置，所述电路包括：包括第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管；所述第一晶体管的至少一部分上的绝缘层；以及包括背栅电极、该背栅电极上的第二半导体层和该第二半导体层上的第二栅电极的第二晶体管，其中，所述第一晶体管电连接至所述第二晶体管，其中，所述背栅电极被配置为控制所述第二晶体管的阈值电压，其中，所述第二半导体层包括氧化物半导体层，且其中，所述第一半导体层包括硅层。