| 发明名称 | 深硅刻蚀机台及其晶片保护装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种深硅刻蚀机台及其晶片保护装置，本发明提出的一种深硅刻蚀机台，包括反应腔、设置在所述反应腔内的用于支撑晶片的支撑台、设置在所述反应腔下方的驱动腔、设置在所述驱动腔内的驱动装置，所述驱动装置驱动所述支撑台上下运动，所述反应腔内还设有用于覆盖晶片非刻蚀区域的晶片保护装置，本发明能够在深硅刻蚀流程中有效保护晶片的边缘区域不被刻蚀损伤，且结构简单，操作方便。 | ||
| 申请公布号 | CN104609365A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510080126.9 | 申请日期 | 2015.02.14 |
| 申请人 | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 | 发明人 | 杜春辉;沈家敏;冯建炜 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人 | 李阳 |
| 主权项 | 一种深硅刻蚀机台，包括反应腔、设置在所述反应腔内的用于支撑晶片的支撑台、设置在所述反应腔下方的驱动腔、设置在所述驱动腔内的驱动装置，所述驱动装置驱动所述支撑台上下运动，其特征在于：所述反应腔内还设有用于覆盖晶片非刻蚀区域的晶片保护装置。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢 | ||