Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

In mindestens einer Ausführungsform weist die Halbleiterschichtenfolge (10) eine n-leitende n-Seite (11), eine p-leitende p-Seite (13) und eine dazwischen liegende aktive Zone (2) auf. Die aktive Zone (2) weist mindestens eine strahlungsaktive Schicht (21) mit einer ersten Materialzusammensetzung zur Erzeugung einer ersten Strahlung (L1) auf. Die zumindest eine strahlungsaktive Schicht (21) ist senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (z) der Halbleiterschichtenfolge orientiert. Ferner weist die aktive Zone (2) eine Vielzahl von strahlungsaktiven Schläuchen (22) mit einer zweiten Materialzusammensetzung oder einer anderen Kristallstruktur zur Erzeugung einer zweiten Strahlung (L2) auf, wobei die zweite Materialzusammensetzung von der ersten Materialzusammensetzung verschieden ist. Die strahlungsaktiven Schläuche (22) sind parallel zur Wachstumsrichtung (z) orientiert.