半导体器件结构及其制作方法

摘要

一种半导体器件结构及其制作方法，包括提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在栅极结构的侧壁上形成第一阻挡层；在第一阻挡层露出的衬底中形成沟槽；在沟槽中形成嵌入式应力层；在栅极结构的侧壁形成第二阻挡层；在第二阻挡层露出的嵌入式应力层上形成凸出的半导体层。本发明还提供一种半导体器件结构，包括衬底、栅极结构，栅极结构的侧壁设有阻挡层；设于衬底中的嵌入式应力层、设于嵌入式应力层上方的凸出的半导体层。本发明具有以下优点：将源区、漏区分为两个部分形成，嵌入式应力层能够尽量靠近栅极结构，提升半导体器件的性能；同时，通过调节第二阻挡层的厚度能够控制凸出的半导体层与栅极结构之间的距离，以满足半导体生产的不同需要。

主权项

一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层露出的衬底中形成沟槽；在所述沟槽中形成嵌入式应力层；在所述栅极结构的侧壁上形成第二阻挡层；在所述第二阻挡层露出的嵌入式应力层上形成凸出的半导体层，所述嵌入式应力层与所述凸出的半导体层用于形成所述半导体器件结构的源区和漏区。